Рынок памяти, возможно, является наиболее быстро развивающимся сегментом в сфере ИТ-бизнеса. Если комитет Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) отвечает за выработку стандартов памяти и характеристик, а производители чипсетов и процессоров, по большей части, придерживаются этих рекомендаций, то создание и поддержание имиджа на этом высоко-конкурентном рынке возможно только при постоянном выпуске новой скоростной памяти. Такие производители памяти, как Corsair и OCZ, пытаются по возможности быстрее представлять более скоростные и лучшие продукты. Если сейчас на рынке уже достаточно широко распространена память DDR3-1333, да и DDR3-1600 начинает появляться, два упомянутых конкурента уже бьются за скорости DDR3-1800.
Приятно видеть, что память DDR3, которая на рынке присутствует лишь несколько месяцев, начинает наращивать частоты быстрее, чем память DDR предыдущих поколений, поскольку частоты уже превысили DDR3-1333. Впрочем, более высокие частоты работы памяти возможны только в случае разгона системы, поскольку чипсеты DDR3 P35 и G33 от Intel поддерживают только частоты DDR3-800, DDR3-1066 и DDR3-1333. Другие делители, позволяющие памяти работать на более высоких тактовых частотах, будут поддерживаться грядущим чипсетом с поддержкой PCI Express 2.0 под названием X38. А пока достичь частот выше DDR3-1333 можно лишь с помощью разгона FSB, на что решатся только энтузиасты.
Чипсеты следующего поколения будут поддерживать дополнительные делители памяти, что поможет продвигать высокоскоростную память DDR3 на массовый рынок, поскольку материнская плата сможет с лёгкостью работать с памятью, скажем DDR3-1600. Это сможет сделать любой пользователь. Современные же высокоскоростные модули памяти DDR3 не дают никаких преимуществ при установке в компьютеры на штатной частоте. Зато они позволяют избежать ситуаций, когда при разгоне память становится "узким местом". Теперь можно повышать частоту FSB и процессора, не замедляя память, чтобы система оставалась стабильной.
В нашу лабораторию поступили два набора от Corsair и OCZ, нацеленные специально на разгон: если вы хотите купить процессор Core 2 Duo и приличную материнскую плату P35 для максимального разгона, то как раз данные продукты окажутся лучшими. Если процессор в прошлом был наиболее дорогим компонентом high-end разогнанной системы, то сегодня лучшие результаты достигаются при сочетании процессора из верхнего сегмента массового рынка с хорошо разгоняемой материнской платой и памятью. Удивительно, но память для разгона сегодня стоит дороже, чем процессор: будьте готовы отдать за память $500 и больше.
Каждое поколение памяти имеет собственные диапазоны тактовых частот. Первое поколение DDR работало на частотах от 100 до 200 МГц (от DDR200 до DDR400), память DDR2 появилась на частотах 266 МГц и достигла 400 МГц (от DDR2-533 до DDR2-800), а память DDR3 обычно начинается с 533 МГц и поднимается до уровня не ниже 800 МГц (от DDR3-1066 до DDR3-1600). Каждое поколение DDR переходит на более тонкий техпроцесс и меньшее напряжение питания и тепловыделение, что позволяет достичь более высоких тактовых частот, пусть и за счёт повышения задержек. Поэтому памяти новых поколений требуется работать на существенно более высоких частотах по сравнению с предыдущей технологией. Так, например, память DDR2 обгоняет DDR400 только при работе в режиме DDR2-667, а DDR3 должна работать в режиме DDR3-1333, чтобы обгонять DDR2-800. Память в пределах одного поколения обратно совместима, то есть вы можете купить модули DDR2-1066 и запустить их на частотах 667 или 800 МГц DDR.
Кроме промышленных стандартов, существует и память для энтузиастов, которая стала популярной после роста числа сторонников разгона в конце 90-х годов. Существуют DDR DIMM, которые обгоняют стандарты JEDEC на 50%. Например, DDR600 от GeIL , а память DDR2 добралась до частот DDR2-1200 задолго до появления DDR3. Patriot и Corsair представили рекордную память PC10 000 . Похоже, отрыв в случае DDR3 будет ещё выше, поскольку достижимые тактовые частоты, в некоторых случаях до DDR3-2000, уже в два раза выше, чем частоты первых модулей DDR на 1066.
Пока не вышли платформы с поддержкой столь высоких частот памяти DDR3, режимы выше DDR3-1333, а это максимально доступная частота для многих материнских плат, будут работать для нужд оверклокеров. Память Corsair и OCZ DDR3-1800 сегодня позволяет достичь максимально возможного уровня разгона.
Dominator DIMM являются топовыми продуктами Corsair. Преимущество этой серии заключается в двойном охлаждении микросхем памяти, через радиаторы и печатную плату.
Первые DIMM Corsair в линейке Dominator появились примерно год назад в виде модулей DDR2 PC2-8888 (DDR2-1111), но затем компания быстро нарастила ассортимент DIMM Dominator в своём портфолио. В него вошёл двухканальный комплект с низкими задержками CL3-4-3-9, а также высокоскоростная память PC10 000 . DIMM Dominator используют двойное решение Corsair для охлаждения чипов памяти, когда тепло рассеивается радиатором чипов и печатной платой модулей. Для улучшения охлаждения в комплект поставки Corsair прилагает и модуль с вентиляторами Dominator Airflow, который монтируется над памятью.
По сравнению с задержками OCZ CL8-8-8-24, модули Corsair DIMM позволяют получить меньшие задержки CL7-7-7-20, которые действительно обеспечили чуть лучшие результаты производительности в наших тестах. Оба набора модулей работают по спецификациям от напряжения 2,0 В. Что интересно, спецификации JEDEC оговаривают уровень напряжения 1,5 В и задержки CL9-9-9-24 на частотах DDR3-1333. Впрочем, память TWIN3X мы не смогли заметно разогнать, что указывает на то, что DIMM уже работают на пределе, либо использованный нами процессор не терпит более высоких частот FSB. Впрочем, поскольку мы смогли разогнать модули OCZ DDR3-1800 до уровня DDR3-1900, процессор не является "узким местом".
В отличие от других DIMM Corsair, модули DDR3-1800 Dominator не содержат профилей EPP (Enhanced Performance Profiles). Напомним, что эти профили позволяют автоматически запустить память на оптимальных настройках на материнских платах линейки nVidia nForce 6, поскольку они выставляют идеальные задержки вместо значений SPD по умолчанию, которые могут быть весьма медленными.
Память Corsair DDR3-1800 работает с задержками CL7-7-7-20, чего более чем достаточно, учитывая высокие тактовые частоты 900 МГц.
Настройки SPD
Если запустить DIMM Corsair на меньших частотах, то можно будет выбрать меньшие задержки. SPD запрограммирован с настройками JEDEC по умолчанию: CL9-9-9-24 на DDR3-1333 (666 МГц), но возможны задержки CL8 и CL6 на частотах до 592 МГц и 444 МГц, соответственно.
Dominator Airflow
Airflow - дополнительная система охлаждения памяти, которая поставляется со всеми DIMM Dominator. Она устанавливается на большинство материнских плат и обеспечивает дополнительное охлаждение модулей памяти с помощью трёх вентиляторов.
OCZ PC3-14400 Platinum Edition выглядят попроще, чем DIMM Dominator, напоминая обычную память, хотя и содержат оригинальный сеточный радиатор. Модули сертифицированы на задержки CL8-8-8-24 в режиме DDR3-1800, что чуть больше, чем у памяти Corsair. Важно отметить, что OCZ указывает напряжение DIMM 1,95 В, а у Corsair оно составляет 2,0 В. В результате у полученного нами экземпляра оставался небольшой запас для разгона, и мы смогли получить скорость до DDR3-1900 при напряжении 2,15 В, причём два часа напряжённых тестов не выявили каких-либо проблем. Уэсли Финк (Wesley Fink) на AnandTech уже сообщил о преодолении порога DDR3-2000 , но с нашим образцом/тестовой платформой мы не смогли достичь такого же уровня. Возможно, "узким местом" стал купленный процессор Core 2 Duo E6750. Что любопытно, розничная версия процессора дала более высокий порог разгона, чем сэмплы Core 2, полученные нашей лабораторией от Intel.
Настройки SPD
В OCZ SPD запрограммированы задержки CL7 для режима DDR3-1333, CL6 для частот до 571 МГц (DDR3-1142) и CL5 для частот до 476 МГц (DDR3-952). По сравнению с задержками на DDR3-1800, модули OCZ дают меньшие задержки на меньших частотах, чем DIMM Corsair.
DDR3-1900
Corsair Dominator DDR3-1800 DIMM разогнать не получилось. Мы попытались увеличить частоту на 50 МГц DDR, поскольку меньшие изменения вряд ли будут заметны. Память OCZ PC3-14400 Platinum Edition смогла достичь режима DDR3-1900 и работала стабильно, но только при повышении напряжения до 2,15 В. Немало для технологии памяти, которая должна работать на 1,5 В, а по спецификациям модулей напряжение и так повышено до 1,95 В.
Тестовая конфигурация
| Системное аппаратное обеспечение | |
| Процессор | Intel Core 2 Duo E6750 (Conroe 65 нм, 2,66 ГГц, 4 Мбайт кэша L2) |
| Материнская плата | Asus P5K3 Deluxe, Rev. 1.01, чипсет: Intel P35, BIOS: 0604 |
| Общее аппаратное обеспечение | |
| Память I | 2x 1024 Мбайт DDR3-1800 (CL 7-7-7-20), Corsair Dominator TWIN3X2048-1800C7DF |
| Память II | 2x 1024 Мбайт DDR3-1800 (CL 8-8-8-27), OCZ DDR3 PC3-14400 Platinum Edition (OCZ3P18002GK) |
| Видеокарта | Zotac Geforce 8800 GTS, GPU: nVidia GeForce 8800GTS (500 МГц), память: 320 Мбайт GDDR3 (1600 МГц) |
| Системный жёсткий диск | |
| Жёсткий диск для данных | 1x 150 Гбайт, 10 000 об/мин, кэш 8 Мбайт, SATA/150, Western Digital WD1500ADFD |
| DVD-ROM | Teac DV-W50D |
| Программное обеспечение | |
| Графика nVidia | Forceware 162.18 |
| Чипсет Intel | 8.3.0.1013 |
| DirectX | Версия: 9.0c (4.09.0000.0904) |
| ОС | Windows XP, Build 2600 SP2 |
Asus P5K3 Deluxe является топовой моделью на чипсете P35 с поддержкой DDR3. Она полностью поддерживает все современные 65-нм процессоры вплоть до четырёхядерного QX6580, а также и грядущие 45-нм модели из линейки Penryn. Хотя чипсет не предназначен для установки двух видеокарт, эта модель поддерживает конфигурацию CrossFire с одной видеокартой в режиме x16 и второй - в режиме x4. Слот x4 slot (чёрный) можно использовать и для установки другой периферии от x1 до x16. Для карт расширения есть три классических слота PCI. Впрочем, видеокарты PCIe с двуслотовыми кулерами не позволят использовать близлежащие слоты PCI.
Южный мост ICH9R обеспечивает шесть портов SATA/300 с поддержкой "родной" очереди команд Native Command Queuing (NCQ), да и на самой плате немало портов USB 2.0 и FireWire 1394a. Плата использует массивную медную систему охлаждения на тепловых трубках, охлаждающую 8-фазный стабилизатор напряжения, северный и южный мосты. При разгоне FSB выше 500 МГц (FSB2000) нам пришлось использовать вентилятор.
Наш Core 2 Duo E6750 смог заработать на частотах FSB до 530 МГц (FSB2120), то есть с частотой ядра выше 3,3 ГГц. Для тестов мы снизили множитель x8 до x6, чтобы частота ядра CPU не стала "узким местом".
Тесты и настройки
| Тесты и настройки | |
| 3D-игры | |
| Call of Duty 2 | Version: 1.3 Retail Video Mode: 1280x960 Anti-aliasing: 4x Graphics Card: medium timedemo demo2 |
| Quake 4 | Version: 1.2 (Dual-Core Patch) Video Mode: 1280x1024 Video Quality: High THG Timedemo waste.map timedemo demo8.demo 1 (1 = load textures) |
| Видео | |
| TMPEG 3.0 Express | Version: 3.0.4.24 (no Audio) 182 MB VOB MPEG2-source (704x576) 16:9 |
| DivX 6.6 | Profile: High Definition Profile Multipass, 3000 kbit/s Encoding mode: Insane Quality |
| XviD 1.1.3 | Version: 1.1.3 Encoding type: Twopass - Single pass Profile @ Level: DXN HT PAL Target size (kbytes): 570000 |
| Mainconcept H.264 v2 | Version 2.1 260 MB MPEG-2 source (1920x1080) 16:9 Codec: H.264 Mode: NTSC Audio: AAC Profile: High Stream: Program |
| Приложения | |
| WinRAR | Version 3.7 (Multi-Core) (303 MB, 47 Files, 2 Folders) Compression = Best Dictionary = 4096 kB |
| Autodesk 3D Studio Max | Version: 8.0 Characters "Dragon_Charater_rig" rendering HTDV 1920x1080 |
| Синтетические тесты | |
| Everest | Version 4.00.976 Cache & Memory Benchmark |
| PCMark05 Pro | Version: 1.2.0 CPU and Memory Tests |
| SiSoftware Sandra 2008 | Version 2008.1.12.30 Memory Test = Bandwidth Benchmark |
| Прочее | |
| Windows Media Player 10 | Version: 10.00.00.36.46 |
Чтобы сравнить производительность между двумя парами DIMM DDR3-1800 и обычной памятью DDR3 при той же частоте FSB и частоте ядра, мы взяли память OCZ и снизили её тактовую частоту до уровня DDR3-1350 (максимально близко к частоте 1333, как мы смогли получить) с задержками CL9-9-9-26. Это близко к требованиям JEDEC для памяти DDR3 на частоте 1333. Большинство обычных ПК, не нацеленных на энтузиастов, поставляются именно с такой памятью.
Результаты тестов
Мы решили не включать в результаты тестов большое количество систем, поскольку разгон процессора, системной шины и оперативной памяти зависит от множества параметров, которые могут различаться. Мы протестировали обе пары модулей в режиме DDR3-1800 (FSB на 450 МГц и делитель памяти 1:2) и с задержками, указанными в спецификациях обоих производителей. Мы сравнили результаты с тестом, который провели максимально близко к режиму DDR3-1333 с задержками CL9-9-9-24, сертифицированными JEDEC. При разгоне до DDR3-1900 DIMM OCZ PC3-14400 показали производительность, очень близкую к Corsair DDR3-1800 Dominator.
Обе пары модулей памяти - продукты впечатляющие, поскольку они обходят спецификации JEDEC для памяти DDR3, обеспечивая более высокие тактовые частоты. Corsair и OCZ разработали собственные технологии отбора микросхем памяти на этапе до производства, поэтому они могут предложить высокоскоростную память, в то время как память для массового рынка работает на заметно меньших частотах. В результате мы получаем DIMM DDR3-1800, но способные работать только при весьма высоких напряжениях (Corsair на 2,0 В, OCZ на 1,95 В). Обе пары модулей нагреваются, так что для их стабильной работы корпус должен хорошо вентилироваться. Впрочем, мы не думаем, что модуль охлаждения Corsair Airflow всегда необходим.
Модули Corsair Dominator отличаются чуть меньшими задержками, но мы не смогли их сколько-нибудь разогнать на нашей материнской плате Asus P5K3 Deluxe P35. Память OCZ PC14400 обладает чуть большими задержками в режиме DDR3-1800, зато позволила нам выжать ещё 50 МГц (100 МГц DDR) до уровня DDR3-1900. Кроме того, у модулей OCZ в SPD прошиты меньшие задержки DDR3. Как показал наш обзор, у памяти OCZ есть потенциал, чтобы преодолеть барьер DDR3-2000. Впрочем, для этого вам потребуется приличная материнская плата и подходящий процессор, нашей же конфигурации оказалось недостаточно. Но вопрос в том, стоит ли заходить так далеко, поскольку прирост производительности мизерный.
DDR3-1333 и более высокие частоты памяти будут официально поддерживаться чипсетами Intel следующего поколения, такими, как X38, который должен обеспечить большой выбор делителей памяти, чтобы можно было разгонять только память, либо снизить частоту памяти, если ваша цель - добраться до "потолка" FSB. Новые чипсеты позволяют приблизить высокочастотную память DDR3 к массовому рынку, а пока два упомянутых набора памяти DDR3-1800 будут интересны только для оверклокеров. Вообще, нам не терпится увидеть первую память DDR3-2000. Интересно, цены на неё смогут прыгнуть выше нынешнего уровня?
Введение
Каждый уважающий себя производитель памяти старается создать такой продуктовый ряд, чтобы каждый покупатель мог найти нужные модули по своим потребностям и своему кошельку. Компания OCZ, известный производитель быстрой памяти для компьютеров, имеет в своём арсенале "золотые", "платиновые", "титановые" модули с высокой пропускной способностью и низкими таймингами. В этой статье мы кратко расскажем об особенностях каждой серии DDR II от компании OCZ, чтобы вам было легче выбирать её при покупке.
Серия Value DDR2
Модули памяти DDR2 серии Value предназначены для пользователей, которым нужна просто хорошая память и кто не готов платить лишние деньги за какие-то дополнительные функции. Сейчас OCZ продаёт только 533 МГц модули DDR2 PC4200 серии Value. Эти модули памяти имеют объёмы от 256 до 2048 Мб и продаются как по одной плашке, так и парами для материнских плат с двухканальными контроллерами DDR2. Чтобы вам легче было понять, что за память предлагают продавцы в своих прайс-листах, приведём номера модулей.
Part number
OCZ2533256V - модуль DDR2 объёмом 256 Мб
OCZ2533512V - модуль DDR2 объёмом 512 Мб
OCZ25331024V - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб
OCZ25332048V - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб
OCZ2533512VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 512 Мб (2x256 Мб) для двухканальных систем
OCZ25331024VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 1024 Мб (2x512 Мб) для двухканальных систем
OCZ25332048VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 2048 Мб (2x1024 Мб) для двухканальных систем
Модули памяти OCZ серии Value имеют тайминги 4-4-4-8 и полностью совместимы со стандартами JEDEC, то есть они должны работать с любыми материнскими платами под DDR2.
Серия Value Pro
Серия Value Pro отличается от самой простой Value тем, что эти модули уже рассчитаны на тех пользователей, кто попытается каким-то образом разогнать компьютер. Модули памяти Value Pro выпускаются в двух вариантах - с частотой 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400).
Part number
OCZ2533512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048VP - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25334096VPDC-K - 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти Value Pro имеют медные распределители тепла, хотя работают на стандартных частотах и имеют обычные тайминги 4-4-4-8 для PC4200 и 5-5-5-10 для PC5400.
Серия Performance
Модули памяти серии Performance создавались для работы с более низкими значениями таймингов. Они имеют частоты 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400). Визуально эти модули памяти отличаются от Value Pro зеркальным покрытием распределителей тепла.
Part number
OCZ2533256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ2533512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ2533512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ2667512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024PF - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ2667512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048PFDC-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти PC4200 при повышении напряжения до 1.9 В могут работать на таймингах 3-3-3-8, а модули PC5400 - на таймингах 4-4-4-8.
Серия Enchanced Latency Gold
Память "золотая", да ещё и с улучшенной латентностью явно рассчитана на взыскательного пользователя. OCZ предлагает три варианта модулей с частотами 533 МГц, 667 МГц и даже 800 МГц (PC6400). Эта память изначально работает с низкими таймингами и может выдержать повышение напряжения до 2.2 В. Медные радиаторы имеют золотистое покрытие.
Part number
OCZ2533512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048ELGE - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25334096ELDCGE-K- 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ2800512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
OCZ28002048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
Модули PC4200 имеют тайминги 3-3-3-8, PC5400 - 4-4-4-8, а PC6400 - 5-5-5-10.
Серия Platinum
Пожалуй, это самая многочисленная серия. В неё входят модули повышенной пропускной способности (enhanced bandwidth) модули с пониженными таймингами (enhanced latency). Первые имеют очень низкие задержки, а вторые - это модули с частотой 1000 МГц и так же пониженными таймингами. Модули enhanced latency работают на напряжении 2.0 В и выдерживают работу на напряжении 2.2 В. И те и другие модули имеют медные распределители тепла с платиновым зеркальным покрытием.
Part number
OCZ2533512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)
OCZ25331024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ25332048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)
OCZ2667512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ28001024EBPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)
OCZ28001024EBDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)
Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC4200 имеет тайминги 3-2-2-8, PC5400 - 4-2-2-8, PC6400 - 4-3-3-8 (эта память работает на напряжении 2.1 В).
Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC8000 - это элита в мире оперативной памяти. Эти модули с питанием от напряжения 2.1-2.2 В способны работать на частоте 1000 МГц с таймингами 5-5-5-15.
Part number
OCZ21000512ELPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC8000 (1000 МГц)
OCZ210001024ELDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC8000 (1024 МГц)
Это самый дорогой модуль памяти в серии OCZ.
Серия Titanium
Серия Titanium - это нечто среднее между серией Platinum и Gold. В этой серии всего два модуля - объёмами 512 и 1024 Мб с частотой 667 МГц (PC5400). Данная память при напряжении 2.2 В может работать на таймингах 4-2-2-8.
Part number
OCZ2667512EBTE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBTE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)
OCZ26671024EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
OCZ26672048EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)
Модули памяти Titanium имеют медные распределители тепла с титановым покрытием.
Заключение
Все модули памяти OCZ тестируются перед тем, как поступить на прилавки, чтобы исключить попадание брака в компьютеры покупателей. Кроме того, на все модули OCZ компания-производитель даёт пожизненную гарантию.
Выбор высокопроизводительной памяти для настольного компьютера, дело достаточно кропотливое и ответственное, что связано в первую очередь с необходимостью обеспечения максимальной стабильности при работе на высокой частоте, особенно при использовании внештатных режимов, где критичным является каждый элемент компьютера, в том числе и память. В секторе портативных компьютеров, данная проблема стоит не столь остро, однако активное развитие мобильных технологий, увеличения рабочей частоты и сокращения внутреннего пространства ноутбука, требует не менее тщательного подхода при выборе памяти, что особенно касается сборщиков ноутбуков, которые иногда, в целях экономии устанавливают дешевую безымянную память, объясняя, что при работе в штатном режиме ни чего не случиться, в чем, безусловно, правы, однако...
Мы, покупатели дорогостоящих ноутбуков, желаем, что бы наш мобильный помощник, не только позволил бы получить максимум производительности, но, и обеспечил максимальную стабильность в различных условиях использования.
Сегодня мы познакомим вас с памятью OCZ серии Value, в которую входят модули с оптимальным отношением цены и производительности. Несмотря на достаточно низкую, для OCZ цену, в этих модулях используется ряд специфических технологий, как например, ULN2 PCB, которая заметно снижет уровень электрического шума, что позитивно сказывается на стабильности работы, особенно в автономном режиме.
Итак, в нашем обзоре принимает участие три типа модулей памяти, предназначенные для использования в различных типах ноутбуков: от ультра портативных моделей на основе технологии Centrino, до высокопроизводительных моделей класса замена настольного ПК, на основе мобильных версий настольных решений и на основе современных технологий Sonoma и AMD Turion™ 64, в которых используется быстрая память DDR2-533 и DDR333/400 соответственно.
Прежде, чем мы приступим к изучению возможностей представленных модулей памяти, мы хотели бы сделать несколько замечаний, относительно возможностей настройки параметров памяти в ноутбуке. Практически во всех моделях ноутбуков в BIOS отсутствует возможность настраивать параметры памяти, что позволило бы воспользоваться всеми преимуществами более быстрых и качественных модулей OCZ. Поэтому, единственное преимущество, которое вы получите от использования памяти OCZ, - большая стабильность, меньшее выделение тепла, и соответственно увеличение времени автономной работы.
OCZ PC2 700 Value Series
Память стандарта DDR333 на сегодняшний день остается одной из самых популярных в секторе портативных компьютеров. Этот тип памяти будет особенно актуален при использовании в мейнстрим моделях ноутбуков, основанных на классической технологии Centrino, где до сих пор используется память стандарта DDR266, которая заметно ограничивает возможности современных высокопроизводительных процессоров Pentium-M. Для решения этой проблемы мы настоятельно рекомендуем использовать память OCZ PC2700 Value Series.
Модули памяти OCZ PC2700 Value Series основаны на чипах Infuneon с низкими таймингами (2.5-4-4-8), что позволило несколько увеличить производительность на ноутбуках, использующих данные SPD.
Кстати, результаты наших тестов показывают, что перевод платформы Centrino на память DDR333 обеспечивает заметный прирост производительности, который будет особенно заметен при использовании процессоров с частотой выше 2ГГц. Здесь может возникнуть вопрос, а почему бы не использовать сразу память DDR 400, - теоретически это позволит добиться еще большей производительности. К сожалению, классическая технология Centrino поддерживает только DDR333, поэтому DDR 400 будет бессмысленна.
OCZ PC 3200 Value Series
Память стандарта DDR 400 на сегодняшний день применяется в некоторых Hi - END ноутбуках, в основе которых лежат мобильные версии настольных чипсетов и процессоров, как например VIA K8T800 для процессора Mobile AMD Athlon™ 64, а так же в новых платформах AMD Turion™ 64. Представленные модули OCZ PC 3200 Value Series основаны на чипах Samsung с низкими таймингами 2.5-4-4-8
Сравнение производительности памяти OCZ PC 3200 Value Series с No-name модулями, продемонстрировали некоторое увеличение производительности в большинстве типов приложений, при использовании жестко заданных параметров синхронизации в BIOS. В случае, если ваш ноутбук позволяет использовать данные SPD, либо имеет возможность изменить параметры памяти, то вы получите еще несколько процентов при сохранении 100% стабильности.
По нашему мнению, использования памяти OCZ PC 3200 Value Series особенно актуально в ноутбуках класса «Замена настольного ПК», в которых используется мобильные версии настольных чипсетов и процессоров. Здесь вы сможете воспользоваться полным частотным потенциалом, предлагаемым модулями OCZ PC 3200 Value Series.
OCZ PC 2 4200 Value Series
И, наконец, новый для мобильного сектора, тип памяти DDR2 533. Он используется в составе новой мобильной технологии Intel Sonoma, где может работать как в одноканальном, так и в двух канальном режиме, что позволило заметно увеличить производительность по сравнению с классической технологией Centrino.
Для создания высокопроизводительной и стабильной мобильной платформы, OCZ предлагает использовать модули PC2 4200 Value Series. Данные модули памяти основаны на высокопроизводительных чипах Elpda, которые имеют тайминги 4-4-4-8, что позволяет сделать предположение о возможном увеличении производительности мобильной платформы.
Однако, учитывая специфические особенности BIOS, которая использует жестко заданные частотные параметры, воспользоваться этими преимуществами, пока не получиться, зато высокая стабильность и пониженное тепловыделение гарантированны, что позитивно скажется на времени автономной работы. Увеличение производительности будет заметно лишь в случае принудительного изменения с помощью специальных утилит, либо в будущих моделях ноутбуков, где будет возможность использовать полный потенциал, используемых модулей памяти. Хотя, как вы может видеть, в этом случае увеличение производительности практически не заметное, что так же обусловлено специфическими особенностями памяти DDR2.
Заключение
Как вы могли заметить, производительность памяти OCZ не значительно превосходит производительность других модулей, в том числе и No-name, что связано с использованием жестко заданных параметров синхронизации, ограничивающих возможности высокопроизводительных чипов памяти, а так же некоторых архитектурных особенностей современных ноутбуков (типа процессора и контроллера памяти). Однако, как мы уже сказали выше, производительность в мобильной платформе не самое главное, намного важнее, - стабильность в автономном режиме, которая напрямую зависит и от качества памяти, где OCZ является бесспорным лидером.
Благодарим компанию « Svega Computer », за предоставленные на тестирование модули памяти OCZ
Часть 26: Высокоскоростные модули OCZ серий Titanium и SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000)
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета . Сегодня мы рассмотрим высокоскоростные предложения от компании OCZ - три двухканальных 2-ГБ комплекта модулей памяти серий Titanium и SLI-Ready скоростных категорий PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000:
- OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
- OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
- OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)
Производитель модуля: OCZ Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Внешний вид модулей
OCZ DDR2 PC2-6400
OCZ DDR2 PC2-7200
OCZ DDR2 PC2-8000
Part Number модулей
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует (в ходе его изучения было обнаружено лишь устаревшее руководство, посвященное модулям памяти типа DDR). Поэтому ограничимся лишь кратким описанием модулей, представленным на страницах соответствующих продуктов.
OCZ DDR2 PC2-6400
Модули поддерживают стандарт EPP, что позволяет достичь оптимальной производительности модулей на материнских платах с чипсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Содержимое EPP запрограммировано на режим DDR2-800 с достаточно низкими таймингами 4-4-4-1T, т.е. модули способны функционировать при задержках командного интерфейса 1T (1 команда/1 такт), что значительно увеличивает производительность подсистемы памяти. Модули оснащены теплоотводами XTC (Xtreme Thermal Convection) с титановым покрытием, обеспечивающими эффективный отвод тепла.
OCZ DDR2 PC2-7200
Модули также поддерживают стандарт EPP, при этом содержимое данной части микросхемы SPD запрограммировано на режим DDR2-900 со схемой таймингов 4-4-3. Как утверждает производитель, данные модули оснащены эксклюзивной системой теплоотведения NVIDIA XTC (с точки зрения, как эффективности, так и внешнего вида, «соответствующего» уровню производительности модулей).
OCZ DDR2 PC2-8000
В отличие от первых двух представителей, поддержка стандарта EPP в модулях отсутствует. Модули принадлежат особому семейству модулей Voltage Xtreme, рассчитанных на работу при высоком питающем напряжении (что позволяет достичь скоростей, недоступных при обычном уровне напряжения). Данная модель рассчитана на режим DDR2-1000 при задержках 4-4-4, что достигается за счет поднятия питающего напряжения до 2.3В и позиционируется как high-end решение для экстремальных геймеров и оверклокеров. Теплоотвод модулей XTC с применением титанового покрытия, устойчивого к царапинам, также является эксклюзивным решением, на сей раз - по своей цветовой гамме (см. фото). Каждый модуль Titanium Alpha имеет уникальную цветовую гамму и изменяет свой оттенок цвета в зависимости от освещения и угла обзора.Данные микросхемы SPD модулей
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
Описание стандарта EPP:
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) | |
| 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) | |
| 5 | 61h | 2 физических банка | |
| 6 | 40h | 64 бит | |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) | |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| 12 | 82h | ||
| 13 | 08h | x8 | |
| 14 | 00h | Не определено | |
| 16 | 0Ch | BL = 4, 8 | |
| 17 | 04h | 4 | |
| 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 | |
| 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) | |
| 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) | |
| 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
|
| 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
|
| 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
|
| 31 | 80h | 512 МБ | |
| 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
|
| 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
|
| 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 18.33, CL = 4 14.86, CL = 3 |
|
| 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
|
| 43 | 80h | 8.0 нс | |
| Номер ревизии SPD | 62 | 23h | Ревизия 2.3(?) |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | BFh | 191 (верно) |
| 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ | |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2T8001G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 06h, 26h | 2006 год, 38 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
По данным SPD, поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая не полностью представляется целыми значениями и может быть записана в виде 5-5-5-14.8, что с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону соответствует стандартной схеме 5-5-5-15. Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33, которую с учетом округления можно записать в виде 4-5-5-13. Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц) вместо номинального значения 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10, с учетом округления - 3-4-4-10.
Идентификационный код производителя, дата изготовления и Part Number модуля указаны верно, в то время как информация о серийном номере модуля отсутствует. К тому же, несколько настораживает странное значение ревизии SPD 23h, формально соответствующее несуществующему номеру ревизии стандарта «2.3».
Поскольку данные модули поддерживают расширение EPP, рассмотрим теперь информацию, содержащуюся в этой «нестандартной» части SPD, представленной байтами 99-127 содержимого SPD.
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | A1h | Сокращенные профили |
| 103 (1:0) | 00h | Профиль 0 | |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 01h | Профиль 0: присутствует Профиль 1: отсутствует Профиль 2: отсутствует Профиль 3: отсутствует |
| Профиль №0 | |||
| Уровень питающего напряжения | 104 (6:0) | 08h | 2.0 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 104 (7) | 00h | 1T |
| Время цикла (t CK) | 105 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 106 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 107 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 108 | 28h | 10.0 нс (4.0) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 109 | 25h | 37.0 нс (14.8) |
Информация EPP представлена в виде сокращенных профилей, максимально возможное количество которых - 4, тогда как реально присутствуют данные лишь о первом из этих профилей (профиль №0), который, естественно, отмечен как «оптимальный». Информация, содержащаяся в этом сокращенном профиле, весьма немногочисленна и полностью представлена в приведенной выше таблице. Это данные о питающем напряжении модулей - 2.0 V, величине задержек командного интерфейса (1T), времени цикла (2.5 нс, частота шины памяти 400 МГц, режим DDR2-800) и стандартных таймингах (4-4-4-14.8, с учетом округления 4-4-4-15). Дополнительные параметры тонкой настройки временных и электрических характеристик функционирования подсистемы памяти в содержимом «сокращенного» профиля EPP отсутствуют, что, на наш взгляд, ставит под сомнение его основные преимущества. Вероятно, производитель модулей просто не уделил должного внимания тонкой настройке этих характеристик. К чему это привело, мы увидим дальше, в ходе нашего исследования модулей, а пока перейдем к рассмотрению SPD следующего представителя.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 9.87, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 4.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.00, CL = 5 14.86, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 28.38, CL = 4 Не определено, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 2Ah | 42 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2N900SR1G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# - 5, 4 и 3, однако значения периодов синхросигнала указаны лишь для первых двух значений: основного (CL X = 5) и уменьшенного (CL X-1 = 4). Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая может быть записана в виде нецелых значений 5-5-5-14.8, с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону - 5-5-5-15. Второму значению (CL X-1 = 4) соответствует несколько устаревший режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-3.33-3.33-9.87, которую с учетом округления можно записать в виде 4-4-4-10. Как мы уже отмечали выше, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) не соответствует какой-либо осмысленный режим функционирования модулей, что определенно является ошибкой.
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, однако информация о дате изготовления и серийном номере модулей отсутствует. Данные модули также поддерживают расширения EPP, поэтому рассмотрим ниже информацию, содержащуюся в этой части SPD.
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | B1h | Расширенные профили |
| Профиль оптимальной производительности | 103 (1:0) | 01h | Профиль 1 |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 03h | Профиль 0: присутствует Профиль 1: присутствует |
| Профиль №0 | |||
| Уровень питающего напряжения | 104 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 104 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (t CK) | 109 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 110 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 111 | 23h | 8.75 нс (3.98) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 112 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 113 | 21h | 33.0 нс (15.00) |
| Период восстановления после записи (t WR) | 114 | 28h | 10.0 нс (4.55) |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 115 | 32h | 50.0 нс (22.73) |
| Профиль №1 | |||
| Уровень питающего напряжения | 116 (6:0) | 14h | 2.3 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 117 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (t CK) | 121 | 22h | 2.20 нс (454.5 МГц) |
| Задержка CAS# (t CL) | 122 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 123 | 21h | 8.25 нс (3.75) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 124 | 19h | 6.25 нс (2.84) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 125 | 1Fh | 31.00 нс (14.09) |
| Период восстановления после записи (t WR) | 126 | 30h | 12.00 нс (5.45) |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 127 | 2Ch | 44.00 нс (20.00) |
Содержимое EPP выглядит весьма интересным. В отличие от рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400 с «сокращенными» профилями EPP, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-7200 содержат в своей части EPP информацию о двух «расширенных» профилях (№0 и №1), оба из которых являются действительными, но соответствуют... примерно одному и тому же режиму функционирования(!), не считая незначительных различий. А именно, в обоих профилях рабочим режимом модулей является режим «DDR2-900» (частота - примерно 454.5 МГц, время цикла 2.2 нс) с питающим напряжением 2.3 V (что соответствует спецификациям производителя) и величиной задержек командного интерфейса 2T. Несколько различаются лишь схемы основных таймингов памяти, которые в первом случае можно представить в виде 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округлении в большую сторону), а во втором - как 4-3.75-2.84-14.09. При округлении этих значений также получается схема 4-4-3-15 (совпадающая с заявленной производителем), однако профили EPP также несколько различаются по значениям «прочих» таймингов вроде t WR и t RC . Как бы там ни было, «оптимальным» профилем выбран профиль №1.
Содержимое SPD рассматриваемых модулей OCZ DDR2 PC2-7200 (включая расширения EPP) явно отличается от содержимого SPD (и EPP) рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Так или иначе, в обоих случаях наблюдаются неточности, а то и явные ошибки. Таким образом, подход компании OCZ к программированию данных SPD оказывается весьма своеобразным, если не сказать - весьма небрежным. Напоследок, рассмотрим содержимое SPD последнего представителя - модулей OCZ DDR2 PC2-8000, которое представлено лишь «стандартной» частью ввиду отсутствия поддержки расширений EPP.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) | 28 | 28h | 10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (t WR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (t RC) | 41, 40 | 36h, 00h | 54.0 нс 21.60, CL = 5 18.00, CL = 4 14.59, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (t RFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | DAh | 218 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h | OCZ |
| Part Number модуля | 73-90 | - | OCZ2TA1000VX21G |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое SPD этих модулей примерно совпадает с таковым для первого из изучаемых образцов - модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая записывается в виде 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно; данные о дате изготовления и серийном номере модуля отсутствует.Конфигурация тестового стенда
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номинальная частота 2.4 ГГц (200 x12)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007
Испытание модулей OCZ проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (), поддерживающей стандарт EPP. Во всех случаях, испытания модулей проводились в двух режимах:
1. Номинальный: штатная частота процессора, частота памяти 400 МГц (DDR2-800), стандартная настройка подсистемы памяти по данным SPD, информация профилей EPP не используется.
2. Оптимальный, соответствующий использованию «оптимального» профиля EPP, допускающий разгон процессора (до 15%) для достижения максимальной рекомендованной частоты памяти. Для модулей OCZ DDR2 PC2-8000, не поддерживающих EPP, настройка частоты процессора и памяти в этом случае проводилась вручную.
OCZ DDR2 PC2-6400
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 400 (800) |
| 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-4-15-1T, 2.0 - 2.3 V |
|
| 4-4-3-2T, 2.2 V | - | |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.06) | - |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.27 (3.10) | - |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.84 (7.99) | - |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.93) | - |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (6.98) | - |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 3.96 (4.05) | - |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.65 (9.33) | - |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.61) | - |
| 28.1 (26.7) | - | |
| 80.7 (78.4) | - | |
* размер блока 32 МБ
Начнем с рассмотрения результатов тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400, для которых производителем заявлено функционирование в режиме DDR2-800 с таймингами 4-4-4-15 и, что самое важное, задержками командного интерфейса 1T. Стандартные тайминги для этих модулей, как видно из представленной выше таблицы, выставляемые BIOS материнской платы по умолчанию, составляют 5-5-5-15-2T, а их скоростные показатели находятся на уровне, типичном для DDR2-800 при данной частоте процессора (2.4 ГГц). Поднятие питающего напряжения до 2.2 V позволяет снизить схему таймингов до 4-4-3 (как и подавляющее большинство остальных модулей DDR2, рассматриваемые модули не чувствительны к изменению последнего стандартного параметра схемы таймингов t RAS), однако величина задержек командного интерфейса по-прежнему должна оставаться на уровне 2T. Попытки использования более жесткой схемы таймингов 4-3-3-2T, а также режима 1T при любых значениях таймингов приводили к возникновению ошибок подсистемы памяти.
Таким образом, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-6400, рассчитанные на функционирование в режиме DDR2-800 4-4-4-15-1T, оказались неспособны на работу в таком режиме. Не спасло положение и использование данных профиля EPP (не удивительно, ведь содержимое EPP в данных модулях представлено лишь одним «сокращенным» профилем, не позволяющим настроить дополнительные тонкие параметры временного и электрического характера), даже при попытке поднятия питающего напряжения вплоть до 2.3 V.
OCZ DDR2 PC2-7200
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2736 (228x12) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 456 (912) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 4-4-3-15-2T, 2.2 V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 4-3-3-1T, 2.3 V | - |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.94 (4.12) | 4.56 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.30 (3.42) | 3.84 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.83 (8.13) | 9.04 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.88 |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.65 (7.14) | 7.79 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 3.93 (4.51) | 4.82 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.69 (9.82) | 10.26 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.46 (6.69) | 7.52 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа (нс) | 28.1 (25.7) | 23.9 |
| Минимальная латентность случайного доступа * (нс) | 80.2 (78.3) | 67.9 |
* размер блока 32 МБ
При запуске модулей OCZ DDR2 PC2-7200 в штатном режиме DDR2-800 принимающая участие в наших тестах материнская плата ASUS CROSSHAIR, как и в предыдущем случае, также выставляет схему таймингов 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели модулей PC2-7200 в этом режиме близки к скоростным показателям модулей PC2-6400, рассмотренным выше. Наиболее интересно то, что при поднятии питающего напряжения модулей (до 2.3 V) они позволяют достичь схему таймингов 4-4-3 при величине задержек командного интерфейса 1T, чем резко отличаются от рассмотренных выше модулей PC2-6400, для которых режим 1T заявлен официально(!). Более того, в нашем случае оказалось возможным запустить рассматриваемые модули и при схеме таймингов 3-3-3-1T, однако это приводило к возникновению ошибок.
Применение «оптимального» профиля EPP привело к выставлению частоты «системной шины» процессора 228 МГц, что соответствует частоте шины памяти 228x2 = 456 МГц (режим «DDR2-912», несколько завышен по сравнению с номинальным «DDR2-900») при частоте процессора примерно 2.74 ГГц (для стабильности, напряжение на ядре процессора было вручную поднято до уровня 1.5 V). Применяемая схема таймингов при этом составила значения 4-4-3-15-2T, соответствующие с заявленными производителем. Рассматриваемые модули памяти оказались работоспособными в таком режиме, однако дальнейшее уменьшение таймингов (не считая игнорируемого параметра t RAS), а также снижение задержек командного интерфейса до 1T приводило к неработоспособности подсистемы памяти.
OCZ DDR2 PC2-8000
| Параметр | ||
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2500 (250x10) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 500 (1000) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1.8 V | 5-5-5-15-2T, 2.3 V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 4-3-3-1T, 2.3 V | 4-4-4-2T, 2.3 V |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.90 (4.13) | 4.35 (4.48) |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 3.28 (3.33) | 3.61 (3.75) |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 7.79 (8.13) | 8.40 (8.50) |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.94 (6.79) | 7.19 (7.21) |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.60 (7.14) | 7.52 (7.79) |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 4.08 (4.46) | 4.70 (5.11) |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 8.61 (9.82) | 10.37 (11.01) |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.48 (6.70) | 6.92 (7.04) |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 28.6 (25.7) | 24.5 (23.2) |
| Минимальная латентность случайного доступа * , нс | 80.6 (78.4) | 72.1 (67.8) |
* размер блока 32 МБ
При эксплуатации последних из рассматриваемых нами модулей OCZ DDR2 PC2-8000 в официальном режиме DDR2-800 на материнской плате ASUS CROSSHAIR по умолчанию также выбирается схема таймингов 5-5-5-15-2T. Как и в случае модулей PC2-7200 (но не PC2-6400), увеличение питающего напряжения модулей до 2.3 V позволяет снизить эту схему до значений 4-3-3 (дальнейшее снижение до 3-3-3 приводит к возникновению ошибок), а величину задержек командного интерфейса - до 1T. Скоростные показатели модулей PC2-8000 и PC2-7200 в данном случае практически совпадают.
Поскольку модули OCZ DDR2 PC2-8000 не поддерживают расширения EPP, режим «DDR2-1000» был установлен вручную за счет увеличения частоты «системной шины» до 250 МГц для достижения частоты шины памяти 500 МГц при частоте процессора 2.5 ГГц (250x10). Минимальная схема таймингов, которую удалось достичь в этих условиях, составила 4-4-4-2T при питающем напряжении модулей 2.3 V, что совпадает со значениями, заявленными производителем (попытка выставления более низких значений практически моментально приводила к неработоспособности системы).Итоги
Протестированные представители модулей памяти высокоскоростных серий от OCZ - PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000 произвели достаточно неоднозначные впечатления. Наименее приятные из них заключаются в достаточно небрежном подходе производителя к программированию содержимого SPD (в частности, расширений EPP), что может напрямую сказываться на совместимости модулей памяти с различными материнскими платами. Более того, первый из рассматриваемых представителей - модули памяти PC2-6400 - оказались неработоспособными в штатном режиме при величине задержек командного интерфейса 1T, официально заявленной производителем (по крайней мере, на используемой нами материнской плате ASUS CROSSHAIR). Из приятных моментов можно отметить работоспособность двух остальных представителей - модулей серии PC2-7200 SLI-Ready Edition и PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатном режиме DDR2-800 при достаточно «экстремальной» схеме таймингов 4-3-3 и величине задержек командного интерфейса 1T, что далеко не типично для большинства 2-ГБ двухканальных комплектов модулей памяти на платформе AMD «AM2». В то же время, в «неофициальных» режимах («DDR2-900» и «DDR2-1000», соответственно) модули этих серий, по-видимому, оказываются разогнанными до предела, поскольку дальнейшее уменьшение схемы таймингов, а также снижение задержек командного интерфейса до 1T не представляется возможным. Однако само по себе устойчивое функционирование модулей PC2-7200 и PC2-8000 в максимально скоростных режимах, учитывая возникшую ситуацию с модулями PC2-6400, уже можно считать плюсом этих серий продукции компании OCZ.
